20050103短多長空的DRAM價格，春節後將恢復原趨勢第二季才較有機會落底
產業研究



新聞提要： 受惠OEM需求仍在，Samsung、Hynix將調高1月上半合約價；DRAM合約價在經過12月份的下跌後，原本市場普遍認為到了2005年1月，全球DRAM合約價理應續向下，熟料，至今全球OEM大廠需求量依然不減，造成1月上旬DRAM合約價處於持平狀態，至此合約價已確定止跌，而這樣的訊號代表著接下來不會有多餘的DRAM貨源倒至現貨，將使得DRAM現貨價得以有效支撐，而DRAM也將重新啟動攻勢，據悉，Samsung甚至預計將調高1月上旬合約報價。 (新聞來源:2005/1/3 電子時報)

TRI觀點：

一、DRAM現貨從止跌到反彈至4美元，僅受惠於短暫需

耶誕節採購旺季雖令業者大失所望，但卻意外地在12月初後出現需求，主因為OEM廠回補貨源至安全標準，也使得256MB DDR400現貨價格從3.8反彈至4美元，在12月底又因為中國春節買氣提前發酵廠商進場掃貨而持平，預估此一市場現況將可持續至1月中。而一路走來，不難發現到臺灣DRAM類股和國際現貨的齊漲齊跌特性，顯見現貨市場和股票市場早已是連動性十足的買賣標的，甚或是『量』的部份也可從股票市場嗅到大趨勢的轉折。

二、中國春節買氣結年後，仍將進入傳統資訊產業淡季

就長期趨勢而言，DRAM深受資訊產業淡旺季的影響而形成景氣循環產業，而由於PCI Express系列產品在整個消費市場的延後推出，也影響到DDRⅡ的銷售及廠商產出意願，故預期2005年的季節性變化將回歸於正常化，另由於廠商預期二月終端產品需求不大，使得買盤縮手處於觀望情況，全球DRAM價格將開始啟動另一波跌勢。

三、Samsung OEM比重調升至8成以上？

Samsung法說會上說明因受到後段封測產能明顯不足影響，因此三星已決定2005年供應至合約市場的DRAM數量，佔其總產能比重，將由2004年的約65%，快速提升至2005年的80%，此15%的縮幅及Samsung原先宣布1月中旬後將調高Flash產能，市場一般將此兩項解讀為全球DRAM市場供貨量銳減，也預期Samsung此舉將對2005年DRAM市場發揮穩定軍心作用。不過，就商場Common sense而言，若DRAM成本在3美元，市價4美元的生意豈有不做之理？換個方式思考，不趁現在賺，難道要等全球12吋廠0.11μm產能大量開出時才進行割喉戰嗎？所以DRAM大廠基於商場競爭策略，常需運用隔空喊話的心理作戰來作為擾敵之用，例如前陣子美光也曾喊出要全球DRAM廠一起減產的動作，以抑制2005年可預見到的大量12吋廠產能開出影響，卻也不見美光有任何減產、轉移產能、甚或是減少擴充產能的動作。

四、大廠DRAM產能紛紛轉至Flash產品以避風頭？

近來紛傳大廠將DRAM產線轉移生產Flash產品以避開DRAM市場的殺價競爭，如力晶開始量產1GB Flash，也預期05年能有15%的營收比重，Samsung自是不遑多讓，另外日本的Renesas、Hynix也在近期開始量產NAND Flash，足見NAND Flash已成未來新歡，不過，礙於1GB Flash從2003年的近一顆40美元降至2004年的8~9美元來看，利潤已大不如前。在近期Flash價格還在向下探的環境而言，大廠們對於此領域的量產相信並不如預期地快，尚須等到Flash價格更穩定後，較易吸引廠商大量轉移產能。

綜合以上觀點，TRI認為呈現短多長空的DRAM價格，春節後勢將恢復原趨勢，展開續跌的行情，至第二季才較有機會落底。